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據(jù)IDC全球半導體行業(yè)報告，預計2025年全球半導體收入將達到8000億美元，較2024年的6800億美元同比增長17.6%。

為了追求更高性能、更低功耗和更小尺寸，先進封裝已進入了3D堆疊封裝時代。芯片被像高樓一樣堆疊起來，內(nèi)部的連接點（如硅通孔TSV、微凸點μBump）完全被遮擋。能夠“透視”這些多層結(jié)構(gòu)并進行無損檢測的成熟技術(shù)——X射線。

開放式X射線源（以下簡稱“開管射線源”）具有焦點尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特點，主要應用于高精密工業(yè)檢測。納米級開管射線源通過控制電子束，觀察芯片內(nèi)部深層缺陷，成為支撐半導體制造業(yè)繼續(xù)向更小、更復雜、更集成方向發(fā)展的關(guān)鍵質(zhì)控工具。

每一支成功的開管射線源，都代表了在材料科學、真空物理、電子光學、精密機械和自動控制等多個學科領(lǐng)域**技術(shù)的融合與突破。全球能獨立研發(fā)和生產(chǎn)高性能納米級開放式X射線源的公司屈指可數(shù)，日聯(lián)科技攻克技術(shù)難點，成功研制出首款國產(chǎn)納米級開管射線源。

日聯(lián)科技UNOS系列160kV開放式射線源具備：

超高分辨率（0.8μm）、高穿透性（**管電壓160kV）、數(shù)字化控制（高效智能）

針對半導體行業(yè)，解決晶圓凸塊 (Wafer Bump)、2.5D/3D 封裝、MEMS 制造、焊點連接等缺陷的高精度檢測難題。

焦點更小、功率更大、視野更廣

超高分辨率 超級放大

隨著電子半導體物理尺寸不斷縮小，三維空間的檢測需求也在持續(xù)滲透,混合鍵合（Hybrid Bonding）缺陷尺寸已進入納米量級。

日聯(lián)科技自2012年就成立了基礎(chǔ)研發(fā)團隊，十年如一日，通過上千次實驗、工藝調(diào)整，完成極其精密的電子光學系統(tǒng)搭建。

通過全自主研發(fā)的高精度恒流電源為磁透鏡和合軸線圈供電，有效控制電子束，成像效果好。

0.8μm分辨率、FOD＜0.3mm、2000X放大倍率

滿足更小尺寸、更高密度樣品的缺陷檢測需求（如：分析晶圓凸起橋接、Wafer內(nèi)部異物雜質(zhì)，識別堆疊芯片間的冷焊、HIP、錯位，檢查元件對齊和焊料空洞等情況）。

超高穿透力 穩(wěn)定輸出

由于終端設備小型化、低功耗要求，傳統(tǒng)功率難以穿透芯片多層堆疊結(jié)構(gòu)（如硅襯底、金屬層、介電層等）觀測芯片內(nèi)部深層缺陷。

高穩(wěn)定電源:采用自主研發(fā)的高壓電源與恒流電源，確保卓越的輸出穩(wěn)定性。

實時監(jiān)測:管內(nèi)集成高精度真空計，實現(xiàn)真空度的實時監(jiān)測。

160kV電壓輕松穿透高集成芯片表層異質(zhì)材料，保障高壓發(fā)生器穩(wěn)定輸出，完成內(nèi)部深層缺陷檢測。

三種模式可調(diào) 完美適配

日聯(lián)科技基礎(chǔ)研發(fā)團隊為解決“高功率”與“小焦點”之間的矛盾，設計高功率、微焦點、納焦點三種可調(diào)模式，讓用戶在“穿透力/亮度”與“極限分辨率”之間做出靈活權(quán)衡，滿足從微小芯片納米級缺陷到大型工業(yè)部件透視等各種靈活性檢測需求。

▲納焦點模式

通過將電子束盡可能地壓縮至極限，提供**的空間分辨率，滿足半導體封裝、高端材料科學、晶圓、精密器件檢測與分析需求。

▲微焦點模式

在分辨率和亮度之間取得最*平衡，廣泛應用于電子制造（PCBA, SMT）、陶瓷封裝、輕金屬鑄件內(nèi)部結(jié)構(gòu)檢測。

▲高功率模式

具備強大的穿透能力，可以看清厚密物體，常用于金屬鑄件、焊接件、新能源電池、低反差樣品檢測。

日聯(lián)科技基礎(chǔ)研發(fā)團隊自主設計的精密真空系統(tǒng)，保障密封性達到**。同時，設備采用高功率金剛石基透射靶，散熱更好，使用壽命更長。

更智能、更便利

全數(shù)字化控制讓開管射線源從一臺需要**工程師精心調(diào)教的“精密儀器”，變成了一個智能、可靠、易集成的“先進核心部件”。

在全球制造業(yè)向智能化邁進的浪潮中，高效率、智能化成為現(xiàn)代工業(yè)檢測和科研領(lǐng)域的迫切需求。

數(shù)字控制：集成全數(shù)字化控制軟件，簡化操作流程，與整機裝備進行安全互鎖，保障操作安全。

壽命管理：網(wǎng)頁端輸入設備ip地址（可定制移動端查看），即可監(jiān)測射線源工作情況，便于燈絲壽命管理。

需求定制：支持多種客制化設計，靶材材質(zhì)、厚度可自由定制，滿足不同應用場景檢測需求。

自主化、標準化、產(chǎn)業(yè)化

1年理論調(diào)研、4年研發(fā)設計、1年調(diào)試......

日聯(lián)科技基礎(chǔ)研發(fā)團隊通過對基礎(chǔ)理論、關(guān)鍵材料、復雜制備工藝等技術(shù)掌握，實現(xiàn)靶材鍍膜、焊接技術(shù)等全流程工藝可控，完成了國內(nèi)首款開放式射線源技術(shù)自主與創(chuàng)新突破。UNOS系列160kV開管射線源已經(jīng)形成標準化生產(chǎn)流程，實現(xiàn)批量生產(chǎn)，奠定了日聯(lián)科技在工業(yè)檢測行業(yè)中的龍頭地位，在技術(shù)路線選擇和市場競爭中占據(jù)了更主動的戰(zhàn)略地位。

目前，開管射線源系列更多型號正在順利研發(fā)中，后續(xù)將陸續(xù)推出并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，助力解決納米級高精度世界各類物理性缺陷和損傷。

國產(chǎn)射線源的量產(chǎn)不僅滿足半導體、電子制造、新能源等領(lǐng)域?qū)Ω呔葯z測的迫切需求，更降低了工業(yè)檢測的成本與門檻，賦能智能制造產(chǎn)業(yè)升級。